مواصفات التكنولوجيا IXFH86N30T
المواصفات الفنية IXYS - IXFH86N30T والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXFH86N30T
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 4mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD (IXFH) | |
| سلسلة | HiPerFET™, Trench | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 43mOhm @ 43A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 860W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 11300 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 86A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IXFH86 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXFH86N30T.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXFH86N30T | IXFH80N08 | IXFH9N80 | IXFH80N65X2 |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247 (IXTH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 143 nC @ 10 V |
| سلسلة | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 86A (Tc) | 80A (Tc) | 9A (Tc) | 80A (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 4mA | 4V @ 4mA | 4.5V @ 2.5mA | 5.5V @ 4mA |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | 80 V | 800 V | 650 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 860W (Tc) | 300W (Tc) | 180W (Tc) | 890W (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 43mOhm @ 43A, 10V | 9mOhm @ 40A, 10V | 900mOhm @ 500mA, 10V | 40mOhm @ 40A, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 11300 pF @ 25 V | 4800 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 8245 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | IXFH86 | IXFH80 | IXFH9 | IXFH80 |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXFH86N30T PDF ووثائق IXYS لـ IXFH86N30T - IXYS.
IXFH88N30P MOSIXYS / LittelfuseIXFH80N08IXYSMOSFET N-CH 80V 80A TO247ADIXFH9N80IXYSMOSFET N-CH 800V 9A TO247ADIXFH80N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 80A TO247IXFH88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO247ADIXFH80N60X2AIXYS / LittelfuseIXFK100N10IXYSMOSFET N-CH 100V 100A TO264AAIXFH96N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 96A TO247ADIXFH80N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 80A TO247IXFH80N10QIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO-247ADIXFH88N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 88A TO247ADIXFH80N15QIXYSMOSFET N-CH 150V 80A TO247ADIXFH80N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
IXFH90N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 90A TO247IXFH96N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 96A TO247ADIXFH80N085IXYSMOSFET N-CH 85V 80A TO247ADIXFH8N80IXYSMOSFET N-CH 800V 8A TO247ADIXFH80N10IXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO247AD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.