مواصفات التكنولوجيا IXTH102N15T
المواصفات الفنية IXYS - IXTH102N15T والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXTH102N15T
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 (IXTH) | |
| سلسلة | Trench | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 18mOhm @ 500mA, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 455W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5220 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 87 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 102A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IXTH102 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXTH102N15T.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXTH102N15T | IXTF200N10T | IXTH102N20T | IXTH04N300P3HV |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 455W (Tc) | 156W (Tc) | 750W (Tc) | 104W (Tc) |
| سلسلة | Trench | Trench | Trench | Polar P3™ |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 100 V | 200 V | 3000 V |
| رقم المنتج الأساسي | IXTH102 | IXTF200 | IXTH102 | IXTH04 |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | i4-Pac™-5 | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 (IXTH) | ISOPLUS i4-PAC™ | TO-247 (IXTH) | TO-247HV |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 102A (Tc) | 90A (Tc) | 102A (Tc) | 400mA (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 18mOhm @ 500mA, 10V | 7mOhm @ 50A, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 190Ohm @ 200mA, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5220 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 283 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 87 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXTH102N15T PDF ووثائق IXYS لـ IXTH102N15T - IXYS.
IXTF200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 90A I4PACIXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTH11N80IXYS / LittelfuseIXTH04N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
IXTC75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220IXTB30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264IXTE250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A SOT227BIXTH12N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247IXTH100N25PIXYS / LittelfuseIXTC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220IXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247IXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247IXTH11P50IXYSMOSFET P-CH 500V 11A TO247IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTC260IXYS / LittelfuseIXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTB62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A PLUS264| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.