مواصفات التكنولوجيا QS6J1TR
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - QS6J1TR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - QS6J1TR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TSMT6 (SC-95) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 1.25W | |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 270pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.5A | |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | QS6J1 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor QS6J1TR.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | QS6J1TR | QS6J3TR | QS6K1FRATR | QS6K1TR |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| تجار الأجهزة حزمة | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) | TSMT6 (SC-95) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V | 238mOhm @ 1A, 4.5V |
| حزمة / كيس | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C | 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 30V | 30V |
| السلطة - ماكس | 1.25W | 1.25W | 900mW (Tc) | 1.25W |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 270pF @ 10V | 270pF @ 10V | 77pF @ 10V | 77pF @ 10V |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate |
| رقم المنتج الأساسي | QS6J1 | QS6J3 | QS6K1 | QS6K1 |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| سلسلة | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 3nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V | 2.4nC @ 4.5V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.5A | 1.5A | 1A (Ta) | 1A |
قم بتنزيل أوراق بيانات QS6J1TR PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ QS6J1TR - Rohm Semiconductor.
QS6J11/TRLAPIS TechnologyQS6J3TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6QS6K1FRATRRohm Semiconductor2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORREQS6J1/TRLAPIS TechnologyQS6J1TR MOSLAPIS TechnologyQS6J3/TRLAPIS TechnologyQS6611QFQSQS6K1FRALAPIS TechnologyQS6K21LAPIS TechnologyQS6611TFQSQS6612-LFQSI
QS6612LFIDT (Renesas Electronics Corporation)QS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6QS6J11TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6QS6K1/TRLAPIS TechnologyQS6400ALINEAROQS6J11LAPIS TechnologyQS6K1TR MOSLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.