مواصفات التكنولوجيا R6020ANX
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - R6020ANX والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - R6020ANX
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FM | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 220mOhm @ 10A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2040 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 65 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | R6020 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor R6020ANX.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | R6020ANX | R6020JNZC8 | R6020JNXC7G | R6020ENX |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 220mOhm @ 10A, 10V | 234mOhm @ 10A, 15V | 234mOhm @ 10A, 15V | 196mOhm @ 10A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 1mA | 7V @ 3.5mA | 7V @ 3.5mA | 4V @ 1mA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 50W (Tc) | 76W (Tc) | 76W (Tc) | 50W (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2040 pF @ 25 V | 1500 pF @ 100 V | 1500 pF @ 100 V | 1400 pF @ 25 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Ta) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| رقم المنتج الأساسي | R6020 | - | R6020 | R6020 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 15V | 15V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 65 nC @ 10 V | 45 nC @ 15 V | 45 nC @ 15 V | 60 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FM | TO-3PF | TO-220FM | TO-220FM |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
R6020ANZFU7C8LAPIS TechnologyR6020JNZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
R6020622Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020JNXC7GRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6020ENXRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FMR6020825Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ANZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO3PFR6020820Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020822Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020625Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020635Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ENJLAPIS TechnologyR6020JNJGTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A LPTSR6020ANZLAPIS TechnologyR6020835Powerex, Inc.IGBT ModuleR6020ANJLAPIS TechnologyR6020ENXC7LAPIS TechnologyR6020620Powerex, Inc.IGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.