مواصفات التكنولوجيا R6076MNZ1C9
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - R6076MNZ1C9 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - R6076MNZ1C9
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 55mOhm @ 38A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 740W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7000 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 115 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 76A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | R6076 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | R6076MNZ1C9 | R6035ENZ1C9 | R6047ENZ1C9 | R6035KNZ1C9 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7000 pF @ 25 V | 2720 pF @ 25 V | 3850 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| رقم المنتج الأساسي | R6076 | - | - | R6035 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 76A (Tc) | 35A (Tc) | 47A (Tc) | 35A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 740W (Tc) | 120W (Tc) | 120W (Tc) | 379W (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 55mOhm @ 38A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 72mOhm @ 25.8A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 115 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات R6076MNZ1C9 PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ R6076MNZ1C9 - Rohm Semiconductor.
R6035ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247R60S4821-1TSACONIGBT Module
R60MI3100AA30KKEMETCAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
R6031222Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031235Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031220Powerex, Inc.IGBT ModuleR6047ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 47A TO247R6076ENZ4C13 MOSLAPIS Technology
R60PI3100AA30JKEMETCAP FILM 0.1UF 5% 630VDC RADR6030835Powerex, Inc.IGBT ModuleR6047ENZ1LAPIS Technology
R60PF2100AA30JKEMETCAP FILM 10000PF 5% 630VDC RADR6030ENZ1LAPIS TechnologyR6032022Powerex, Inc.IGBT ModuleR6035KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247R6076ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 76A TO247R6031225Powerex, Inc.IGBT ModuleR60S1215TSCONVERTERIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.