مواصفات التكنولوجيا RE1C002UNTCL
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RE1C002UNTCL والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RE1C002UNTCL
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±8V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | EMT3F (SOT-416FL) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | SC-89, SOT-490 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 25 pF @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.2V, 2.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 200mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | RE1C002 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RE1C002UNTCL.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RE1C002UNTCL | RE1C001ZPTL | RE1C001UNTCL | RE1E002SPTCL |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.2V, 2.5V | 1.2V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 4V, 10V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V | 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.4Ohm @ 250mA, 10V |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | RE1C002 | RE1C001 | RE1C001 | RE1E002 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 200mA (Ta) | 100mA (Ta) | 100mA (Ta) | 250mA (Ta) |
| فغس (ماكس) | ±8V | ±10V | ±8V | ±20V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 1mA | 1V @ 100µA | 1V @ 100µA | 2.5V @ 1mA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) | 150mW (Ta) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 25 pF @ 10 V | 15 pF @ 10 V | 7.1 pF @ 10 V | 30 pF @ 10 V |
| حزمة / كيس | SC-89, SOT-490 | SC-89, SOT-490 | SC-89, SOT-490 | SC-89, SOT-490 |
| تجار الأجهزة حزمة | EMT3F (SOT-416FL) | EMT3F (SOT-416FL) | EMT3F (SOT-416FL) | EMT3F (SOT-416FL) |
قم بتنزيل أوراق بيانات RE1C002UNTCL PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ RE1C002UNTCL - Rohm Semiconductor.
RE1C001ZP TLLAPIS TechnologyRE1C002ZP TLLAPIS TechnologyRE1C002UN TCLLAPIS TechnologyRE1C001ZPTLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 100MA EMT3FRE1C002UN TLLAPIS TechnologyRE1C002ZPFU7TLLAPIS TechnologyRE1C002ZPLAPIS TechnologyRE1C001UNTCLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 100MA EMT3FRE1C001UN TLLAPIS TechnologyRE1722PMA5-00UPIRE1E002SPTCLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 250MA EMT3FRE1C002ZPMGTLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 200MA EMT3FRE1C002UNLAPIS TechnologyRE1J002YN TLLAPIS TechnologyRE1678A33PMICRONERE1E002SP TLLAPIS TechnologyRE1C002ZPTLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 200MA EMT3FRE1J002YN TCLLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.