مواصفات التكنولوجيا RS1E200BNTB
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RS1E200BNTB والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RS1E200BNTB
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-HSOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.9mOhm @ 20A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3100 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 59 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | RS1E |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RS1E200BNTB.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RS1E200BNTB | RS1E150GNTB | RS1E200GNTB | RS1E280GNTB |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.9mOhm @ 20A, 10V | 8.8mOhm @ 15A, 10V | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 2.6mOhm @ 28A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP | 8-HSOP |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| رقم المنتج الأساسي | RS1E | RS1E | RS1E | RS1E |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3100 pF @ 15 V | 590 pF @ 15 V | 1080 pF @ 15 V | 2300 pF @ 15 V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 59 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 16.8 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3W (Ta), 25W (Tc) | 3W (Ta), 22.9W (Tc) | 3W (Ta), 25.1W (Tc) | 3W (Ta), 31W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Ta) | 15A (Ta) | 20A (Ta) | 28A (Ta) |
قم بتنزيل أوراق بيانات RS1E200BNTB PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ RS1E200BNTB - Rohm Semiconductor.
RS1E170GNROHNRS1E180LAPIS TechnologyRS1E300GNLAPIS TechnologyRS1E280BNRHOMRS1E150GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A 8HSOPRS1E240BNLAPIS TechnologyRS1E200AHTBLAPIS TechnologyRS1E200BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E280BNFU7TBRHOMRS1E180BNLAPIS TechnologyRS1E200GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOPRS1E200BNLAPIS TechnologyRS1E240BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E280GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 28A 8HSOPRS1E200BN TBLAPIS TechnologyRS1E180BNFU7TBLAPIS TechnologyRS1E320GNLAPIS TechnologyRS1E280BN TBLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.