مواصفات التكنولوجيا RSD150N06TL
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RSD150N06TL والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RSD150N06TL
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | CPT3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 40mOhm @ 15A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 20W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 930 pF @ 10 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 18 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 15A (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | RSD150 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RSD150N06TL.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RSD150N06TL | RSD201N10TL | RSD140P06TL | RSD200N05TL |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| سلسلة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| رقم المنتج الأساسي | RSD150 | RSD201 | RSD140 | RSD200 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 40mOhm @ 15A, 10V | 46mOhm @ 20A, 10V | 84mOhm @ 14A, 10V | 28mOhm @ 20A, 10V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 930 pF @ 10 V | 2100 pF @ 25 V | 1900 pF @ 10 V | 950 pF @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 20W (Tc) | 20W (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 100 V | 60 V | 45 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 15A (Ta) | 20A (Tc) | 14A (Ta) | 20A (Ta) |
| تجار الأجهزة حزمة | CPT3 | CPT3 | CPT3 | CPT3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 18 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 12 nC @ 5 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
RSD200N10LAPIS TechnologyRSD150N06FMKTLLAPIS TechnologyRSD201N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 20A CPT3RSD160P05LAPIS Technology
RSD150N06VBsemiRSD140P06TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 60V 14A CPT3RSD200N05TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 45V 20A CPT3RSD150N06FRATLLAPIS TechnologyRSD140P06 TLLAPIS TechnologyRSD175N10LAPIS TechnologyRSD175N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3RSD150N06 TLLAPIS TechnologyRSD201N10LAPIS TechnologyRSD160P05FRATLLAPIS TechnologyRSD140P06LAPIS TechnologyRSD200N10FRATLLAPIS TechnologyRSD140P06-TLLAPIS TechnologyRSD140P06FRATLLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.