مواصفات التكنولوجيا SCS220KGHRC
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SCS220KGHRC والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SCS220KGHRC
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.6 V @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 400 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 1060pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | SCS220 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SCS220KGHRC.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SCS220KGHRC | SCS220AMC | SCS220AGHRC | SCS220AJTLL |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 400 µA @ 1200 V | 400 µA @ 600 V | 400 µA @ 600 V | 400 µA @ 600 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| رقم المنتج الأساسي | SCS220 | SCS220 | SCS220 | SCS220 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.6 V @ 20 A | 1.55 V @ 20 A | 1.55 V @ 20 A | 1.55 V @ 20 A |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | TO-220FM | TO-220AC | TO-263AB |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 1060pF @ 1V, 1MHz | 730pF @ 1V, 1MHz | 730pF @ 1V, 1MHz | 730pF @ 1V, 1MHz |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | 20A | 20A | 20A |
قم بتنزيل أوراق بيانات SCS220KGHRC PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ SCS220KGHRC - Rohm Semiconductor.
SCS220AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220FMSCS220KE2HRCRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS240AE2LAPIS TechnologySCS220AMLAPIS TechnologySCS220AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACSCS220P-CSECOSSCS230KE2ALAPIS TechnologySCS230AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS230KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS240AE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247SCS220AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS240KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS220KE2CRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247SCS220KE2LAPIS TechnologySCS220AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO263ABSCS220KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220ACSCS240KE2LAPIS TechnologySCS230AE2CZLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.