مواصفات التكنولوجيا SCS320AMC
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SCS320AMC والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SCS320AMC
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FM | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 650 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 1000pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | SCS320 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SCS320AMC.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SCS320AMC | SCS312AHGC9 | SCS308AHGC9 | SCS310AHGC9 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220FM | TO-220ACP | TO-220ACP | TO-220ACP |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 650 V | 60 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 50 µA @ 650 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 20 A | - | 1.5 V @ 8 A | 1.5 V @ 10 A |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | SCS320 | SCS312 | SCS308 | SCS310 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | 12A | 8A | 10A |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 1000pF @ 1V, 1MHz | 600pF @ 1V, 1MHz | 400pF @ 1V, 1MHz | 500pF @ 1V, 1MHz |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
SCS411D-TGWILLASSCS355VSECOSSCS495DSECOSSCS312AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACPSCS308AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACPSCS310AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS315AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220FMSCS491DSCS4805S2IPDIGBT ModuleSCS320AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPSCS310AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS38157FD01R2MOTOROLASCS315AHGC9Rohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACPSCS308APC9Rohm SemiconductorDIODE SILICON CARBIDE 650V 8ASCS4805S1IPDIGBT ModuleSCS4805S1MSIPDIGBT ModuleSCS490D-TGWILLASSCS320AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPTL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.