مواصفات التكنولوجيا SH8K41GZETB
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SH8K41GZETB والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SH8K41GZETB
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 3.4A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 1.4W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 600pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.6nC @ 5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.4A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | SH8K41 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SH8K41GZETB.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SH8K41GZETB | SH8KA2GZETB | SH8KA4TB | SH8K2TB1 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 3.4A, 10V | 28mOhm @ 8A, 10V | 21.4mOhm @ 9A, 10V | 30mOhm @ 6A, 10V |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP (5.0x6.0) |
| FET الميزة | Logic Level Gate | - | - | Logic Level Gate |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| رقم المنتج الأساسي | SH8K41 | SH8KA2 | SH8KA4 | SH8K2 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V | 30V | 30V | 30V |
| السلطة - ماكس | 1.4W | 2.8W | 3W | 2W |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.6nC @ 5V | 8nC @ 10V | 15.5nC @ 10V | 10.1nC @ 5V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SMD, Gull Wing |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 600pF @ 10V | 330pF @ 15V | 640pF @ 15V | 520pF @ 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.4A | 8A | 9A | 6A |
قم بتنزيل أوراق بيانات SH8K41GZETB PDF ووثائق Rohm Semiconductor لـ SH8K41GZETB - Rohm Semiconductor.
SH8KA2GZETBRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFETSH8KA4TBRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFETSH8K2TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8SH8K3TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
SH8M08GAGTDFAAI01SMARTSH8KA4SH8K26GZ0TB1Rohm Semiconductor40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
SH8K32LAPIS Technology
SH8K32TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8SH8K26 GZOTBLAPIS TechnologySH8KA2LAPIS TechnologySH8K32TBLAPIS TechnologySH8M11LAPIS TechnologySH8K5TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8SH8K5TBVBsemiSH8K32GZETBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEXSH8K41LAPIS TechnologySH8K4TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.