مواصفات التكنولوجيا SH8M24TB1
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - SH8M24TB1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - SH8M24TB1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 46mOhm @ 4.5A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 9.6nC @ 5V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 45V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A, 3.5A | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | SH8M24 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor SH8M24TB1.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SH8M24TB1 | SH8M2TB1 | SH8M41GZETB | SH8M4TB1 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 45V | 30V | 80V | 30V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| رقم المنتج الأساسي | SH8M24 | SH8M2 | SH8M41 | SH8M4 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550pF @ 10V | 140pF @ 10V | 600pF @ 10V | 1190pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 9.6nC @ 5V | 3.5nC @ 5V | 9.2nC @ 5V | 15nC @ 5V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 46mOhm @ 4.5A, 10V | 83mOhm @ 3.5A, 10V | 130mOhm @ 3.4A, 10V | 18mOhm @ 9A, 10V |
| ترتيب | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A, 3.5A | 3.5A | 3.4A, 2.6A | 9A, 7A |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2W |
| سلسلة | - | - | - | - |
| FET الميزة | - | - | Logic Level Gate, 4V Drive | Logic Level Gate |
SH8M13LAPIS TechnologySH8M2TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8SH8M41GZETBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOPSH8M41LAPIS TechnologySH8M4TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOICSH8M14GZETBLAPIS TechnologySH8M13TBLAPIS TechnologySH8M3TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8SH8MA2GZETBRohm SemiconductorSH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LOSH8M3TBLAPIS TechnologySH8M24LAPIS TechnologySH8M14LAPIS TechnologySH8M41TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8SH8M13TB1LAPIS TechnologySH8M24TBLAPIS TechnologySH8M14TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOPSH8M5TBLAPIS Technology
SH8M16GCATCEDAE01SMART| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.