مواصفات التكنولوجيا BQ4010YMA-85
المواصفات الفنية Texas Instruments - BQ4010YMA-85 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Texas Instruments - BQ4010YMA-85
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Texas Instruments | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 85ns | |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 5.5V | |
| تكنولوجيا | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 28-DIP Module (18.42x37.72) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 64Kbit | |
| تنظيم الذاكرة | 8K x 8 | |
| واجهة الذاكرة | Parallel | |
| تنسيق الذاكرة | NVSRAM | |
| رقم المنتج الأساسي | BQ4010 | |
| وقت الدخول | 85 ns |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Texas Instruments BQ4010YMA-85.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BQ4010YMA-85 | BQ4013YMA-70N | BQ4010MA-150 | BQ4013YMA-70 |
| الصانع | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تكنولوجيا | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حجم الذاكرة | 64Kbit | 1Mbit | 64Kbit | 1Mbit |
| تجار الأجهزة حزمة | 28-DIP Module (18.42x37.72) | 32-DIP Module (18.42x42.8) | 28-DIP Module (18.42x37.72) | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 85ns | 70ns | 150ns | 70ns |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تنسيق الذاكرة | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM |
| حزمة / كيس | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) | 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) | 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) |
| وقت الدخول | 85 ns | 70 ns | 150 ns | 70 ns |
| واجهة الذاكرة | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| رقم المنتج الأساسي | BQ4010 | BQ4013 | BQ4010 | BQ4013 |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تنظيم الذاكرة | 8K x 8 | 128K x 8 | 8K x 8 | 128K x 8 |
قم بتنزيل أوراق بيانات BQ4010YMA-85 PDF ووثائق Texas Instruments لـ BQ4010YMA-85 - Texas Instruments.
BQ4013YMA-120
BQ4011Texas InstrumentsBQ4013YMA-70NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4010MA-150Texas InstrumentsIC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIPBQ4013YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4013LYMA-70NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIPBQ4010MA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIPBQ4010LYMA-70NTexas InstrumentsIC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIPBQ4011YMA-150Texas InstrumentsIC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPBQ4013MA-85Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
BQ4013MA-85BenchmarqIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4010YMA-150Texas InstrumentsIC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIPBQ4010YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIPBQ4011YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPBQ4013YMA-85NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4013YMA-85Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4011YMA-200Texas InstrumentsBQ4011MA-150Texas InstrumentsIC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.