مواصفات التكنولوجيا 1N1200B
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N1200B والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N1200B
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1200 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N1200B.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1200B | 1N1200A | 1N1200B | 1N1200A |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 12 A |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1200 | 1N1200 | - | 1N1200 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| طَرد | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1200B PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N1200B - Microchip Technology.
1N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1199RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1201Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1200RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1199RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1201Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.