مواصفات التكنولوجيا 1N1203C
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N1203C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N1203C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 300 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1203 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | بنفايات غير متوافقة |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N1203C.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1203C | 1N1204AR | 1N1204A | 1N1204B |
| الصانع | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | 12A | 12A | 12A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1203 | 1N1204AR | 1N1204 | 1N1204 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 (DO-203AA) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 30 A | 1.1 V @ 12 A | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1203C PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N1203C - Microchip Technology.
1N1204ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 12A DO41N1204AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1204ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1204BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1204Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1204AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1203ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1202RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1202RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1203ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1202RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N1204ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.