مواصفات التكنولوجيا 1N1206R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N1206R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N1206R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1206 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N1206R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1206R | 1N1206R | 1N1206AR | 1N1206RB |
| الصانع | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| طَرد | Bulk | Box | Bulk | Box |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1206 | - | 1N1206 | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1206R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N1206R - Microchip Technology.
1N1227RMicrosemiIGBT Module1N1206RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1227BMicrosemiIGBT Module1N1227AMicrosemiIGBT Module1N1206RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
1N120BFairchild (onsemi)
1N1206AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1229IRIGBT Module1N1228IRIGBT Module1N1227IRIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.