مواصفات التكنولوجيا 1N3879R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N3879R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N3879R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 15 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 6A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 115pF @ 10V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3879 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N3879R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3879R | 1N3880 | 1N3881 | 1N3879 |
| الصانع | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Motorola |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3879 | 1N3880 | 1N3881 | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | 100 V | 200 V | 50 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 115pF @ 10V, 1MHz | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 6A | 6A | 6A | 6A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 20 A | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 6 A |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3879R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N3879R - Microchip Technology.
1N3880GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 6A DO4
1N3879Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3881GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 6A DO41N3879MotorolaDIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA1N3879JANMSC/STIGBT Module1N3879RJANTXMSC/STIGBT Module
1N3821AAmphenol SSI Technologies1N3880RJANTXMSC/STIGBT Module1N3880Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3879JANTXMSC/STIGBT Module1N3880RAMSC/STIGBT Module
1N3880Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3879GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 6A DO41N3879RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 6A DO41N3879RSolid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3879MMSC/STIGBT Module1N3879RAMSC/STIGBT Module1N3879Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.