مواصفات التكنولوجيا 1N3890R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N3890R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N3890R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/304 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 150 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 115pF @ 10V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N3890R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3890R | 1N3890 | 1N3890 | 1N3891AR |
| الصانع | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 20A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/304 | - | Military, MIL-PRF-19500/304 | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 115pF @ 10V, 1MHz | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 20 A | 1.5 V @ 38 A | 1.5 V @ 38 A | 1.5 V @ 38 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 150 ns | 400 ns | 200 ns | 150 ns |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 200 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3890R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N3890R - Microchip Technology.
1N3890Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N3890Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
1N3890GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N3891RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 12A DO41N3891RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3890ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3889RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N3892Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N3890AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3890ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3891AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3889RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N3891GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 12A DO41N3890RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.