مواصفات التكنولوجيا 1N4150UR-1
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N4150UR-1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N4150UR-1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 200 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-213AA | |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-213AA (Glass) | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 200mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4150 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N4150UR-1.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4150UR-1 | 1N4151 | 1N4150TR | 1N4150 |
| الصانع | Microchip Technology | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns | 4 ns | 6 ns | 6 ns |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 2pF @ 0V, 1MHz | 2.5pF @ 0V, 1MHz | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-213AA | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | 75 V | 50 V | 50 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 200mA | 150mA | 200mA | 200mA |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| حزمة / كيس | DO-213AA (Glass) | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4150 | 1N4151 | - | 1N4150 |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4150UR-1 PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N4150UR-1 - Microchip Technology.
1N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N414WSSTMicroelectronics1N4150TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4150onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4150TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 300MA DO351N4150-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4151Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4150W-E3-08Vishay1N4150NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150WMSV1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4150Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 300MA DO351N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.