مواصفات التكنولوجيا 1N4458R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N4458R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N4458R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/162 | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4458 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N4458R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4458R | 1N4454 | 1N4454 | 1N4454 |
| الصانع | Microchip Technology | Fairchild Semiconductor | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 10 mA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 800 V | 100 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | 200mA | 200mA | 200mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 75 V | 75 V | 50 V |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/162 | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4458 | - | 1N4454 | - |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4458R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N4458R - Microchip Technology.
1N4454Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4506RIRIGBT Module1N4454Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4454NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4506AIRIGBT Module1N4506BIRIGBT Module1N4459RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 15A DO203AA1N4459Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA
1N4476Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4506Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N4458Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA
1N4471USMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N4454TRFairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST DIOD
1N4476Solid State Inc.GLASS 1.5 WATT ZENER DIODE
1N4454TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4448X-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD5231N4454onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4454-TRECTROM| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.