مواصفات التكنولوجيا 1N5617
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N5617 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N5617
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.6 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | A, Axial | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 150 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | A, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 nA @ 400 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 35pF @ 12V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5617 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N5617.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5617 | 1N5622 | 1N5626-TR | 1N5624 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| تجار الأجهزة حزمة | A, Axial | A, Axial | SOD-64 | SOD-64 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 150 ns | 2 µs | 7.5 µs | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 3A | 3A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Avalanche | Standard |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 nA @ 400 V | 500 nA @ 1000 V | 1 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.6 V @ 3 A | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 1000 V | 600 V | 200 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 35pF @ 12V, 1MHz | - | 60pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5617 | 1N5622 | 1N5626 | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag |
| حزمة / كيس | A, Axial | A, Axial | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5617 PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N5617 - Microchip Technology.
1N5554JTXMOTO
1N5525BUR-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N5622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD641N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5551Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay1N5625GPElectro-Films (EFI) / Vishay
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5624Harris CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A SOD64
1N5620USJANTXMicrosemi1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.