مواصفات التكنولوجيا 1N5816R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N5816R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N5816R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 150 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 10V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5816 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N5816R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5816R | 1N5817 | 1N5817 | 1N5815R |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Yangjie Technology | Microchip Technology |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 150 V | - | 100 µA @ 20 V | 10 µA @ 125 V |
| تكنولوجيا | Standard | - | Schottky | Standard, Reverse Polarity |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5816 | 1N5817 | - | 1N5815 |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AA (DO-4) | - | DO-41 | DO-4 (DO-203AA) |
| تصاعد نوع | Stud Mount | - | Through Hole | Stud Mount |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Box (TB) | Bulk |
| سلسلة | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | * | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | - | 20 V | 125 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 20 A | - | 450 mV @ 1 A | 950 mV @ 20 A |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 35 ns | - | 10 ns | 35 ns |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 10V, 1MHz | - | 110pF @ 4V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | - | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 20A | - | 1A | 20A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | - | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5816R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N5816R - Microchip Technology.
1N5817Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5817Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5815RMicrochip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5817NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
1N5816Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5815Solid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO4
1N5817Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-15 20V 1A1N5816Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE
1N5817Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO151N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5817Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL1N5816RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5815RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO4
1N5817STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5815Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4
1N5817onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.