مواصفات التكنولوجيا 1N6305R
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N6305R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N6305R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.18 V @ 150 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 (DO-203AB) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/550 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 60 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 70A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 600pF @ 10V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N6305 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N6305R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N6305R | 1N6391 | 1N6304 | 1N6305 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 60 ns | - | 60 ns | 60 ns |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 (DO-203AB) | DO-203AA (DO-4) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.18 V @ 150 A | 500 mV @ 5 A | 1.18 V @ 150 A | 1.18 V @ 150 A |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 70A | 25A | 70A | 70A |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 45 V | 50 V | 100 V |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 100 V | 1.5 mA @ 45 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 100 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/550 | Military, MIL-PRF-19500/553 | Military, MIL-PRF-19500/550 | Military, MIL-PRF-19500/550 |
| تكنولوجيا | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| رقم المنتج الأساسي | 1N6305 | 1N6391 | 1N6304 | 1N6305 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 600pF @ 10V, 1MHz | 2000pF @ 5V, 1MHz | 600pF @ 10V, 1MHz | 600pF @ 10V, 1MHz |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N6305R PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N6305R - Microchip Technology.
1N6376GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6307MSCIGBT Module
1N6301AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6303AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6302AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6299AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA1N6300AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6373onsemiTVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIAL1N6304Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5
1N6373MDE Semiconductor IncTVS DIODE UP 5VRWM 7.5VC
1N6376GonsemiTVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6306RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N6306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N6298AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6308MSCIGBT Module1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.