مواصفات التكنولوجيا APT1001R1BN
المواصفات الفنية Microchip Technology - APT1001R1BN والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - APT1001R1BN
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | |
| سلسلة | POWER MOS IV® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.1Ohm @ 5.25A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 310W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2950 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1000 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology APT1001R1BN.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT1001R1BN | APT1001RBVRG | APT1001RBN | APT10021JLL |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | 10V | 10V |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.1Ohm @ 5.25A, 10V | 1Ohm @ 500mA, 10V | 1Ohm @ 5.5A, 10V | 210mOhm @ 18.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 310W (Tc) | - | 310W (Tc) | 694W (Tc) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 5V @ 5mA |
| فغس (ماكس) | ±30V | - | ±30V | ±30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 395 nC @ 10 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | POWER MOS IV® | POWER MOS V® | POWER MOS IV® | POWER MOS 7® |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | TO-247 [B] | TO-247AD | ISOTOP® |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 37A (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2950 pF @ 25 V | 3660 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V | 9750 pF @ 25 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT1001R1BN PDF ووثائق Microchip Technology لـ APT1001R1BN - Microchip Technology.
APT-2012SRDPRVKingbrightAPT1001RBVRAPTAPT000-1900-008APTIGBT ModuleAPT1001RBLCAPTIGBT ModuleAPT-1608SGCKingbrightAPT000-1900-005APTIGBT ModuleAPT1001RBVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 11A TO247APT1001RBNMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 11A TO247ADAPT10021JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOPAPT000-1900-002APTIGBT ModuleAPT-1608SYCKKingbright
APT10025JFLCMicrosemiIGBT ModuleAPT 1147APTIGBT ModuleAPT10025JVEPMicrosemiIGBT ModuleAPT10025JFMicrosemiIGBT ModuleAPT10021JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOPAPT-1608SGTKingbrightAPT-2012PBC-AKingbright| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.