مواصفات التكنولوجيا APT13GP120BDQ1G
المواصفات الفنية Microchip Technology - APT13GP120BDQ1G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - APT13GP120BDQ1G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 3.9V @ 15V, 13A | |
| اختبار حالة | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 9ns/28ns | |
| تحويل الطاقة | 115µJ (on), 165µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 [B] | |
| سلسلة | POWER MOS 7® | |
| السلطة - ماكس | 250 W | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | PT | |
| بوابة المسؤول | 55 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 50 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 41 A | |
| رقم المنتج الأساسي | APT13GP120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology APT13GP120BDQ1G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT13GP120BDQ1G | APT13GP120BG | APT14M120B | APT13GP120BDQ1 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | APT |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | 1200 V | - | - |
| السلطة - ماكس | 250 W | 250 W | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| اختبار حالة | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | 600V, 13A, 5Ohm, 15V | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | APT13GP120 | APT13GP120 | APT14M120 | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| سلسلة | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | - |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 3.9V @ 15V, 13A | 3.9V @ 15V, 13A | - | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 9ns/28ns | 9ns/28ns | - | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 41 A | 41 A | - | - |
| نوع IGBT | PT | PT | - | - |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | - | - |
| بوابة المسؤول | 55 nC | 55 nC | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] | - |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 50 A | 50 A | - | - |
| تحويل الطاقة | 115µJ (on), 165µJ (off) | 115µJ (on), 165µJ (off) | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT13GP120BDQ1G PDF ووثائق Microchip Technology لـ APT13GP120BDQ1G - Microchip Technology.
APT14M120BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 14A TO247APT13GP120BDQ1APTAPT13F120BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 14A TO247APT14M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT14050JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOP
APT13005T-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 450V 4A TO220-3APT13005TF-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 450V 4A TO220-3
APT13005TFDiodes IncorporatedAPT14050JVFRXAPTIGBT ModuleAPT13005SU-G67Diodes IncorporatedAPT130GL60JNAPTIGBT ModuleAPT13GP120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 41A 250W TO247
APT14050JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT140N65JC6MicrosemiIGBT Module
APT150GN120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOPAPT13005SU-G1-67NAAPT13005TF-E1Diodes IncorporatedIC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92APT14050JVRXIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.