مواصفات التكنولوجيا DN3135N8-G
المواصفات الفنية Microchip Technology - DN3135N8-G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - DN3135N8-G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-243AA (SOT-89) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 35Ohm @ 150mA, 0V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.3W (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-243AA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 120 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | Depletion Mode | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 0V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 350 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 135mA (Tj) | |
| رقم المنتج الأساسي | DN3135 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology DN3135N8-G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | DN3135N8-G | DN3545N3-G | IRFP9240 | DN3135K1-G |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Microchip Technology |
| رقم المنتج الأساسي | DN3135 | DN3545 | IRFP9240 | DN3135 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| سلسلة | - | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| حزمة / كيس | TO-243AA | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-247-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 35Ohm @ 150mA, 0V | 20Ohm @ 150mA, 0V | 500mOhm @ 7.2A, 10V | 35Ohm @ 150mA, 0V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 120 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 120 pF @ 25 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 135mA (Tj) | 136mA (Ta) | 12A (Tc) | 72mA (Tj) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-243AA (SOT-89) | TO-92 (TO-226) | TO-247AC | SOT-23-3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 350 V | 450 V | 200 V | 350 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.3W (Ta) | 740mW (Ta) | 150W (Tc) | 360mW (Ta) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 0V | 0V | 10V | 0V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | - | 4V @ 250µA | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bag | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET الميزة | Depletion Mode | Depletion Mode | - | Depletion Mode |
قم بتنزيل أوراق بيانات DN3135N8-G PDF ووثائق Microchip Technology لـ DN3135N8-G - Microchip Technology.
DN3052TRIGENCE
DN350T05-7-FDiodes IncorporatedDN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 450V 136MA TO92DN3765K4-GMicrochipDN3545N8Micrel / Microchip Technology
DN3694GFPRenesas Electronics CorporationIRFP9240Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 12A TO247-3DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3DN3135N8MICROCHDN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 230MA TO243AADN3525N8SUPERTEXDN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 450V 200MA TO243AADN3325A
DN350T05-7Diodes IncorporatedTRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3DN3765N3SUPERTEXDN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 360MA TO243AADN3012TRIGENCEDN3145N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.