مواصفات التكنولوجيا JANTXV1N5822
المواصفات الفنية Microchip Technology - JANTXV1N5822 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - JANTXV1N5822
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 500 mV @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 40 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | B, Axial | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/620 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | B, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 125°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 40 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology JANTXV1N5822.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | JANTXV1N5822 | JANTXV1N5806 | JANTXV1N5819-1 | JANTXV1N6304R |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Stud Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | B, Axial | A, Axial | DO-41 | DO-5 (DO-203AB) |
| تكنولوجيا | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 40 V | 150 V | 45 V | 50 V |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 40 V | 1 µA @ 150 V | 50 µA @ 45 V | 25 µA @ 50 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 25pF @ 10V, 1MHz | 70pF @ 5V, 1MHz | - |
| سلسلة | Military, MIL-PRF-19500/620 | Military, MIL-PRF-19500/477 | Military, MIL-PRF-19500/586 | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 1A | 1A | 70A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| حزمة / كيس | B, Axial | A, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 500 mV @ 3 A | 875 mV @ 1 A | 490 mV @ 1 A | 1.18 V @ 150 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات JANTXV1N5822 PDF ووثائق Microchip Technology لـ JANTXV1N5822 - Microchip Technology.
JANTXV1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALJANTXV1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41JANTXV1N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5JANTXV1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5JANTXV1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
JANTXV1N6844U3MicrosemiJANTXV1N5815RMicrosemiIGBT ModuleJANTXV1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
JANTXV1N5772Microchip TechnologyTVS DIODE 10CFLATPACKJANTXV1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO203ABJANTXV1N6642Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MAJANTXV1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANTXV1N6326USMicrochip TechnologyZENER DIODEJANTXV1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AAJANTXV1N5418Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
JANTXV1N6625USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5AJANTXV1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5AJANTXV1N6642USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MA D-5B| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.