مواصفات التكنولوجيا LND150N8-G
المواصفات الفنية Microchip Technology - LND150N8-G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - LND150N8-G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-89-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-243AA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | Depletion Mode | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 0V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 30mA (Tj) | |
| رقم المنتج الأساسي | LND150 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology LND150N8-G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | LND150N8-G | STP180NS04ZC | LND150N3-G | SI4413CDY-T1-GE3 |
| الصانع | Microchip Technology | STMicroelectronics | Microchip Technology | Vishay Siliconix |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1000Ohm @ 500µA, 0V | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 1000Ohm @ 500µA, 0V | - |
| حزمة / كيس | TO-243AA | TO-220-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1.6W (Ta) | 330W (Tc) | 740mW (Ta) | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 0V | 10V | 0V | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | 4V @ 1mA | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 30mA (Tj) | 120A (Tc) | 30mA (Tj) | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| FET الميزة | Depletion Mode | - | Depletion Mode | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 33 V | 500 V | 30 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة | - | SAFeFET™ | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | LND150 | STP180 | LND150 | SI4413 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-89-3 | TO-220 | TO-92-3 | 8-SOIC |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 10 pF @ 25 V | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Bag | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات LND150N8-G PDF ووثائق Microchip Technology لـ LND150N8-G - Microchip Technology.
LND250K1-GMicrochip
LNDN12N65LONTENLND150N3-G-P003MicrochipSTP180NS04ZCSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 33V 120A TO220ABLND150N8GMicrochipLND150N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3SI4413CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8-SOICLND150K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
DMN2065UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323LND150N3SUPERTEXLND12N65LONTEN
IRF1010EZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 75A TO220ABSTP15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 14A TO220ABLND-300H/200BNAIGBT Module
FDP4D5N10ConsemiMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
LND01K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
FDG314PonsemiMOSFET P-CH 25V 650MA SC88| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.