مواصفات التكنولوجيا TN0104N3-G
المواصفات الفنية Microchip Technology - TN0104N3-G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - TN0104N3-G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.6V @ 500µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| طَرد | Bag |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 70 pF @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 3V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 40 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 450mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | TN0104 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology TN0104N3-G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | TN0104N3-G | TN0200K-T1-E3 | TN0104N3-G-P014 | TN0104N8-G |
| الصانع | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Microchip Technology |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-243AA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bag | Cut Tape (CT) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 70 pF @ 20 V | - | 70 pF @ 20 V | 70 pF @ 20 V |
| رقم المنتج الأساسي | TN0104 | TN0200 | TN0104 | TN0104 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 40 V | 20 V | 40 V | 40 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.6V @ 500µA | 1V @ 50µA | 1.6V @ 500µA | 1.6V @ 500µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 450mA (Ta) | 730mA (Ta) | 450mA (Ta) | 630mA (Tj) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | - | 1W (Tc) | 1.6W (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.8Ohm @ 1A, 10V | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.8Ohm @ 1A, 10V | 2Ohm @ 1A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | SOT-23-3 (TO-236) | TO-92-3 | TO-243AA (SOT-89) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 3V, 10V | - | 3V, 10V | 3V, 10V |
قم بتنزيل أوراق بيانات TN0104N3-G PDF ووثائق Microchip Technology لـ TN0104N3-G - Microchip Technology.
TN0200K-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
TN0200KSK/VISHTN0200K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SOT23-3TN0104N3-G-P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3TN0104N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 40V 630MA TO243AATN0106N3SUPERTEXINCTN0200TS-T1-E3VBSEMITN0200T-T1-E3VBSEMITN0106N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0104N3SUPERTEXTN0104N8SUPERTEXTN0200T-T1SILICONIXTN0106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0110N3SUPERTEXTN0200T-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayTN0200T MOSElectro-Films (EFI) / VishayTN0200TMAGEPOWER
TN0110N3-GMicrochip| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.