مواصفات التكنولوجيا TN0610N3-G
المواصفات الفنية Microchip Technology - TN0610N3-G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - TN0610N3-G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 750mA, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| طَرد | Bag |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 150 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 3V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 500mA (Tj) | |
| رقم المنتج الأساسي | TN0610 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology TN0610N3-G.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | TN0610N3-G | TN0620N3-G | TN0640N3 | TN0702N3 |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Electro-Films (EFI) / Vishay | SUPERTEX |
| رقم المنتج الأساسي | TN0610 | TN0620 | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | TO-92-3 | - | - |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 500mA (Tj) | 250mA (Tj) | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 150 pF @ 25 V | 150 pF @ 25 V | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | 1W (Tc) | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 1mA | 1.6V @ 1mA | - | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Bag | Bag | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 750mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 3V, 10V | 5V, 10V | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 200 V | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات TN0610N3-G PDF ووثائق Microchip Technology لـ TN0610N3-G - Microchip Technology.
TN0640N3Electro-Films (EFI) / VishayTN0702N3SUPERTEXTN05-3T103JRMITSUBISHITN0604WGGSUPERTETN0610N3SUPERTEXTN0620N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3TN0604N3SUPERTEX
TN0604N3-GMicrochip
TN071CDRTexas InstrumentsTN0606N3SUPERTEXTN0620N5SITN05-4R474JRMITSUBISHITN0610N5SI
TN0610T-T1Silicon PowerTN05-4B473JRTN0524N2SUPERTEXTN0606N5SUPERTEXTN0620N3SUPERTEX| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.