مواصفات التكنولوجيا UES806HR2
المواصفات الفنية Microchip Technology - UES806HR2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - UES806HR2
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 50 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 (DO-203AB) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 70 µA @ 400 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | UES806 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | بنفايات غير متوافقة |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | Not Applicable |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology UES806HR2.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | UES806HR2 | UES805 | UES803 | UES804R |
| الصانع | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | 50A | 70A | - |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 300 V | 150 V | - |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 50 A | - | 975 mV @ 70 A | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 70 µA @ 400 V | 70 µA @ 300 V | 25 µA @ 150 V | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | - |
| سلسلة | - | - | - | * |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | - |
| رقم المنتج الأساسي | UES806 | UES805 | UES803 | UES804 |
قم بتنزيل أوراق بيانات UES806HR2 PDF ووثائق Microchip Technology لـ UES806HR2 - Microchip Technology.
UESD5.0ST5GonsemiTVS DIODE 5VWM 13.3VC SOD723UESD50DT5GN/AUESD16V8S4CUNIONUES805Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 50A DO5UES804HR2MSCIGBT ModuleUES803Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5UES804RMicrochip TechnologyRECTIFIERUES803RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5UESD12ST5GonsemiTVS DIODE 12VWM 23.7VC SOD723UES805HR2Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 50A DO5UES806RMicrochip TechnologyRECTIFIERUESD3.3ST5GonsemiTVS DIODE 3.3VWM 10.9VC SOD723
UESD5.0DT5GonsemiTVS DIODE 5VWM SOT723UESD3.3DT5GonsemiTVS DIODE 3.3VWM SOT723UES805RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 50A DO5UES804Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 50A DO5
UESD3.3DTCRAMI Semiconductor/onsemiUES806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 50A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.