مواصفات التكنولوجيا VN10KN3-G
المواصفات الفنية Microchip Technology - VN10KN3-G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - VN10KN3-G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| طَرد | Bag |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 60 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 310mA (Tj) | |
| رقم المنتج الأساسي | VN10KN3 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology VN10KN3-G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | VN10KN3-G | VN10LFTA | VN10KN3-G-P002 | VN10LM |
| الصانع | Microchip Technology | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Motorola |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±20V | ±30V | - |
| حزمة / كيس | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Tc) | 330mW (Ta) | 1W (Tc) | - |
| سلسلة | - | - | - | * |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| رقم المنتج الأساسي | VN10KN3 | VN10 | VN10KN3 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-92-3 | SOT-23-3 | TO-92-3 | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 310mA (Tj) | 150mA (Ta) | 310mA (Tj) | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات VN10KN3-G PDF ووثائق Microchip Technology لـ VN10KN3-G - Microchip Technology.
VN10LLSElectro-Films (EFI) / VishayVN10LFVBSEMIVN10KMSIVN10-110E-201JTCTCVN10KMAElectro-Films (EFI) / VishayVN10KT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayVN10LFTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3VN10KN3-G-P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3VN10KT-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayVN10KLSElectro-Films (EFI) / VishayVN1008LVN10KN3SUPERTEXVN10-140E-121JTCTCVN10LESILICONIXVN10KEElectro-Films (EFI) / VishayVN10-180E-900JTCTC
VN10LFTA MOSDiodes IncorporatedVN10LMMotorolaSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.