مواصفات التكنولوجيا JR28F064M29EWTA
المواصفات الفنية Micron Technology Inc. - JR28F064M29EWTA والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. - JR28F064M29EWTA
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Micron Technology | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 70ns | |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | |
| تجار الأجهزة حزمة | 48-TSOP I | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | |
| طَرد | Tray | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 64Mbit | |
| تنظيم الذاكرة | 8M x 8, 4M x 16 | |
| واجهة الذاكرة | Parallel | |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | |
| رقم المنتج الأساسي | JR28F064M29 | |
| وقت الدخول | 70 ns |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. JR28F064M29EWTA.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | JR28F064M29EWTA | MT58L64L18CT-10 | JR28F032M29EWLA | JR28F064M29EWHA |
| الصانع | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| واجهة الذاكرة | Parallel | - | Parallel | Parallel |
| وقت الدخول | 70 ns | - | 70 ns | 70 ns |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tray | Bulk | Tray | Tray |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | - | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تجار الأجهزة حزمة | 48-TSOP I | - | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | - | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| تصاعد نوع | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | - | Non-Volatile | Non-Volatile |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | - | FLASH | FLASH |
| حزمة / كيس | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | - | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| رقم المنتج الأساسي | JR28F064M29 | - | JR28F032M29 | JR28F064M29 |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 70ns | - | 70ns | 70ns |
| تنظيم الذاكرة | 8M x 8, 4M x 16 | - | 4M x 8, 2M x 16 | 8M x 8, 4M x 16 |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | - | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| حجم الذاكرة | 64Mbit | - | 32Mbit | 64Mbit |
قم بتنزيل أوراق بيانات JR28F064M29EWTA PDF ووثائق Micron Technology Inc. لـ JR28F064M29EWTA - Micron Technology Inc..
MT58L64L18CT-10Micron Technology Inc.CACHE SRAM, 64KX18, 5NSJR28F032M29EWLAMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP IJR28F064M29EWHAMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
IS42S16320B-7TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
JR28F064M29EWTIntelJR28F064M29EWLIntel
IDT71V432S7PFRenesas Electronics America IncIC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
JR25WCC-10(71)Hirose Electric Co LtdCONN CABLE CLAMP SZ25 BLACK M28
CY7C1513KV18-300BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
AT24C01BN-SH-BMicrochip TechnologyIC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
AT24C08A-10TI-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOPJR28F064M29EWBAMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP IJR28F064M29EWHIntel
BR25G256FJ-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 256KBIT SPI 8SOPJ
AT29LV020-10JUMicrochip TechnologyIC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCCAT29LV512-15JCMicrochip TechnologyIC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCCJR28F064M29EWBMICROMJR223BJR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.