مواصفات التكنولوجيا MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
المواصفات الفنية Micron Technology Inc. - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Micron Technology | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | |
| الجهد - توريد | 1.1V | |
| تكنولوجيا | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| تجار الأجهزة حزمة | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | |
| حزمة / كيس | 200-WFBGA | |
| طَرد | Tray | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 105°C (TC) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Volatile | |
| حجم الذاكرة | 8Gbit | |
| تنظيم الذاكرة | 256M x 32 | |
| واجهة الذاكرة | - | |
| تنسيق الذاكرة | DRAM | |
| تردد على مدار الساعة | 1.866 GHz | |
| رقم المنتج الأساسي | MT53E256 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AAT:B.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MT53E256M16D1DS-046 WT:B | MT53E256M32D2DS-053 AUT:B |
| الصانع | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| تجار الأجهزة حزمة | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 200-WFBGA (10x14.5) |
| رقم المنتج الأساسي | MT53E256 | MT53E256 | MT53E256 | MT53E256 |
| طَرد | Tray | Tray | Tray | Tray |
| الجهد - توريد | 1.1V | 1.1V | 1.1V | 1.1V |
| تنظيم الذاكرة | 256M x 32 | 256M x 32 | 256M x 16 | 256M x 32 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| تردد على مدار الساعة | 1.866 GHz | 2.133 GHz | 2.133 GHz | 1.866 GHz |
| تكنولوجيا | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | - | - | - |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| واجهة الذاكرة | - | - | - | - |
| نوع الذاكرة | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| تنسيق الذاكرة | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 105°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 125°C (TC) |
| حجم الذاكرة | 8Gbit | 8Gbit | 4Gbit | 8Gbit |
| حزمة / كيس | 200-WFBGA | 200-WFBGA | - | 200-WFBGA |
قم بتنزيل أوراق بيانات MT53E256M32D2DS-053 AAT:B PDF ووثائق Micron Technology Inc. لـ MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - Micron Technology Inc..
MT53E256M32D2DS-046 IT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
MT53E256M16D1DS-046WT:BMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-053 WT:BTRMicron TechnologyMT53E256M16D1DS-046 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMT53E256M32D2DS-053WT:BMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-053 AUT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E256M16D1DS-046 AIT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMT53E256M32D2DS-053 AIT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E256M32D2DS-053Micron TechnologyMT53E256M32D2DS-053AAT:BMicronMT53E256M32D2DS-046Micron TechnologyMT53E256M32D2DS-053 AATBMicron Technology
MT53E256M32D2DS-053 WTBMIRCONMT53E256M32D2DS-053 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E256M32D2DS-053WTBMicron TechnologyMT53E256M16D1DS-046AATBMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-046 AATMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-046 AAT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.