مواصفات التكنولوجيا NAND04GW3B2DN6E
المواصفات الفنية Micron Technology Inc. - NAND04GW3B2DN6E والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. - NAND04GW3B2DN6E
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Micron Technology | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 25ns | |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | |
| تكنولوجيا | FLASH - NAND | |
| تجار الأجهزة حزمة | 48-TSOP | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | |
| طَرد | Tray | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | |
| تنظيم الذاكرة | 512M x 8 | |
| واجهة الذاكرة | Parallel | |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | |
| رقم المنتج الأساسي | NAND04G | |
| وقت الدخول | 25 ns |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. NAND04GW3B2DN6E.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NAND04GW3B2DN6E | NAND04GW3C2BN6E | NAND08GAH0BZA5E | NAND02GW3B2DZA6E |
| الصانع | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 25ns | 25ns | - | 25ns |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| سلسلة | - | - | - | - |
| وقت الدخول | 25 ns | 25 ns | - | 25 ns |
| تكنولوجيا | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | 4Gbit | 8Gbit | 2Gbit |
| رقم المنتج الأساسي | NAND04G | NAND04G | NAND08G | NAND02G |
| تنظيم الذاكرة | 512M x 8 | 512M x 8 | 1G x 8 | 256M x 8 |
| طَرد | Tray | Tray | Tray | Tray |
| حزمة / كيس | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 169-LFBGA | 63-TFBGA |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| تجار الأجهزة حزمة | 48-TSOP | 48-TSOP | 169-LFBGA (12x16) | 63-VFBGA (9.5x12) |
| واجهة الذاكرة | Parallel | Parallel | MMC | Parallel |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -25°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
قم بتنزيل أوراق بيانات NAND04GW3B2DN6E PDF ووثائق Micron Technology Inc. لـ NAND04GW3B2DN6E - Micron Technology Inc..
NAND02GW3B2DNBSTMicroelectronicsNAND08GAH0NZA5STMicroelectronicsNAND04GW3B2DN6FSTMicroelectronicsNAND08GW3B2AN6STMicroelectronicsNAND04GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOPNAND08GW382CN6STMicroelectronicsNAND08GW3B2CN6STMicroelectronicsNAND08GAH0BZA5EMicron Technology Inc.IC FLSH 8GBIT MMC 52MHZ 169LFBGANAND04GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGANAND08GAHOBZA5ESTMicroelectronicsNAND02GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6STMicroelectronicsNAND04GW3B2BN6ESTMicroelectronicsNAND02GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOPNAND08GW3B2CN6ESTMicroelectronicsNAND04GW3B2BN6STMicroelectronics
NAND02GW3B2DZA6FNUMONYX MEM| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.