مواصفات التكنولوجيا APT31N60BCSG
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT31N60BCSG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT31N60BCSG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3.9V @ 1.2mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | CoolMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 18A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 255W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3055 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 85 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT31N60BCSG.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT31N60BCSG | APT31N80JC3 | APT30M70BVRG | APT31N90JC3 |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi |
| تصاعد نوع | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 18A, 10V | 145mOhm @ 22A, 10V | 70mOhm @ 500mA, 10V | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | ISOTOP® | TO-247 [B] | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 31A (Tc) | 31A (Tc) | 48A (Tc) | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 800 V | 300 V | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 85 nC @ 10 V | 355 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3055 pF @ 25 V | 4510 pF @ 25 V | 5870 pF @ 25 V | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 255W (Tc) | 833W (Tc) | 370W (Tc) | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±20V | ±30V | - |
| سلسلة | CoolMOS™ | CoolMOS™ | POWER MOS V® | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3.9V @ 1.2mA | 3.9V @ 2mA | 4V @ 1mA | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT31N60BCSG PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT31N60BCSG - Microsemi Corporation.
APT31N90JC3MicrosemiIGBT ModuleAPT30SCD65BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247
APT3216SECKKingbrightLED ORANGE CLEAR CHIP SMDAPT3216CGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMD
APT3216QWF/DKingbrightAPT30M75BLLGAPTMICROSAPT30M85BVRAPTAPT30M85BNRAPTAPT3216MGCKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMD
APT3216QBC/DKingbrightLED BLUE CLEAR CHIP SMDAPT30M75BFLLAPTAPT3216PBC/AKingbrightLED BLUE CLEAR CHIP SMDAPT3216CGCKINGBRIGHAPT31N80JC3Microsemi CorporationMOSFET N-CH 800V 31A ISOTOPAPT30SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A TO247APT30M80BVFRAPTAPT30M70BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 48A TO247APT30S20BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.