مواصفات التكنولوجيا APT44GA60BD30C
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT44GA60BD30C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT44GA60BD30C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.6V @ 15V, 26A | |
| اختبار حالة | 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 16ns/102ns | |
| تحويل الطاقة | 409µJ (on), 450µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 [B] | |
| سلسلة | POWER MOS 8™ | |
| السلطة - ماكس | 337 W | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | PT | |
| بوابة المسؤول | 128 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 130 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 78 A | |
| رقم المنتج الأساسي | APT44GA60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT44GA60BD30C.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT44GA60BD30C | APT40N60JCU2 | APT45GP120JDQ2 | APT46GA90JD40 |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 130 A | - | - | - |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | - | 1200 V | 900 V |
| درجة حرارة التشغيل | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | SOT-227-4, miniBLOC |
| رقم المنتج الأساسي | APT44GA60 | APT40N60 | APT45GP120 | APT46GA90 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| بوابة المسؤول | 128 nC | - | - | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 16ns/102ns | - | - | - |
| نوع IGBT | PT | - | PT | PT |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| تحويل الطاقة | 409µJ (on), 450µJ (off) | - | - | - |
| نوع المدخلات | Standard | - | - | - |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.6V @ 15V, 26A | - | 3.9V @ 15V, 45A | 3.1V @ 15V, 47A |
| السلطة - ماكس | 337 W | - | 329 W | 284 W |
| سلسلة | POWER MOS 8™ | - | POWER MOS 7® | POWER MOS 8™ |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 78 A | - | 75 A | 87 A |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 [B] | SOT-227 | ISOTOP® | ISOTOP® |
| اختبار حالة | 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT44GA60BD30C PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT44GA60BD30C - Microsemi Corporation.
APT40N60JCU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 40A SOT227APT45GP120JDQ2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOPAPT46GA90JD40Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOPAPT45M100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 45A SOT227APT45GF60BNAPTIGBT ModuleAPT44F80LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 47A TO264APT42F50BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 42A TO247APT47GA60JD40Microchip TechnologyIGBT 600V 87A 283W SOT-227APT45GF120JAPTIGBT ModuleAPT43M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 45A T-MAXAPT46GA30JD40APTIGBT Module
APT40M75JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT47F60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOPAPT43M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 45A TO264APT40SM120BPAPTAPT45GP120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOPAPT41F100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOPAPT40N60JCU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 40A SOT227| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.