مواصفات التكنولوجيا APT5025BN
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT5025BN والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT5025BN
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | |
| سلسلة | POWER MOS IV® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 250mOhm @ 11.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 310W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2950 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT5025BN.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT5025BN | APT50DF170HJ | APT502J | APT5022BN |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi | APT |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | SOT-227 (ISOTOP®) | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Chassis Mount | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2950 pF @ 25 V | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 23A (Tc) | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | - |
| طَرد | Tube | Bulk | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130 nC @ 10 V | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 250mOhm @ 11.5A, 10V | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | - | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | - | - | - |
| سلسلة | POWER MOS IV® | - | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 310W (Tc) | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | Standard | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| نوع FET | N-Channel | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT5025BN PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT5025BN - Microsemi Corporation.
APT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT502JMicrosemiIGBT ModuleAPT5022BNAPTAPT50GF100BNAPTIGBT ModuleAPT5025BVRAPTAPT5025BNRAPTIGBT ModuleAPT5028BVRAPTIGBT ModuleAPT50GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOPAPT5022JNMicrosemiIGBT ModuleAPT5020HJNAPTIGBT ModuleAPT5030AVRAPTAPT5025ANAPTAPT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT5023BNAPTAPT5024BVFRAPTIGBT ModuleAPT5024SVRAPTAPT5022BNRAPTIGBT ModuleAPT5024BFLLAPT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.