مواصفات التكنولوجيا 1SC0450E2A0-65
المواصفات الفنية Power Integrations - 1SC0450E2A0-65 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Power Integrations - 1SC0450E2A0-65
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Power Integrations | |
| الجهد - توريد | 14.5V ~ 15.5V | |
| تجار الأجهزة حزمة | Module | |
| سلسلة | SCALE™-2 | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 30ns, 25ns | |
| حزمة / كيس | Module | |
| طَرد | Tray | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| تردد الإدخال | 1 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | - | |
| نوع المدخلات | - | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 6500 V | |
| نوع البوابة | IGBT | |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 50A, 50A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
| رقم المنتج الأساسي | 1SC0450 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Power Integrations 1SC0450E2A0-65.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1SC0450E2A0-65 | 1SC0450E2B0-65 | 1SC2060P2A0-17 | IRS2308PBF |
| الصانع | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Infineon Technologies |
| حزمة / كيس | Module | Module | Module | 8-DIP (0.300', 7.62mm) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | - | - | - | 0.8V, 2.5V |
| طَرد | Tray | Tray | Bulk | Tube |
| الجهد - توريد | 14.5V ~ 15.5V | 14.5V ~ 15.5V | 14.5V ~ 15.5V | 10V ~ 20V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 30ns, 25ns | 30ns, 25ns | 10ns, 15ns | 100ns, 35ns |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| نوع البوابة | IGBT | IGBT | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Single | Single | Independent |
| تردد الإدخال | 1 | 1 | 1 | 2 |
| سلسلة | SCALE™-2 | SCALE™-2 | SCALE™-2 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | Module | Module | Module | 8-PDIP |
| رقم المنتج الأساسي | 1SC0450 | 1SC0450 | 1SC2060 | IRS2308 |
| نوع المدخلات | - | - | - | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 6500 V | 6500 V | - | 600 V |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 50A, 50A | 50A, 50A | 60A, 60A | 290mA, 600mA |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | Half-Bridge |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1SC0450E2A0-65 PDF ووثائق Power Integrations لـ 1SC0450E2A0-65 - Power Integrations.
1SC0450E2B0-65Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE1SC2060P2A0-17Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
1SC0450V2B0-xxCONCEPTIGBT ModuleIRS2308PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP1SC3528W32E0WE04LED1SC0450E2AO-45CONCEPTIGBT Module
1SC2060P_manualCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module1SC0450E2B0-45Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
L6398DSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO1SC0450E2A0CONCEPTIGBT Module
1SC0450V2A0-65Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
ISL2110AR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN1SC0450V2B0CONCEPTIGBT Module1SC0450E2B0CONCEPTIGBT Module
1SC0450V2B0-45Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
1SC0450E2A0-45Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE1SC2060P-17CONCEPTIGBT Module1SC2060P2Ax-17Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.