مواصفات التكنولوجيا RF1S9540
المواصفات الفنية Harris Corporation - RF1S9540 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - RF1S9540
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 200mOhm @ 10A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 90 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation RF1S9540.
| سمة المنتج | |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RF1S9540 | RF1S70N03 | RF1S9630SM | RF1S70N06SM9A |
| الصانع | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V | - | 3000 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 30 V | 200 V | 60 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 19A (Tc) | 70A (Tc) | 6.5A | 70A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | TO-262AA | TO-263AB | TO-263AB |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 200mOhm @ 10A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | - | 14mOhm @ 70A, 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | 10V |
| سلسلة | - | - | - | PSPICE® |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | - | 150W (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 90 nC @ 10 V | 260 nC @ 20 V | - | 215 nC @ 20 V |
RF1S9640SMFairchild (onsemi)RF1S70N03SM9A MOSHARRISRF1S70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO262AARF1S9630SMHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRF1S840SHAR
RF1S9640SM MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RF1S70N06SM9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETRF1S9640Harris CorporationMOSFET P-CH 200V 11A TO220ABRF1S640SM9A MOSFairchild (onsemi)RF1S9630Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRF1S9640H022RF1S70N03 MOSFairchild (onsemi)RF1S9630SM9AFairchild (onsemi)RF1S70N06SM9A MOSFairchild (onsemi)RF1S9530SMVBSEMIRF1S640SM9AFairchild (onsemi)RF1S9630SM9A MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RF1S9640SM9AFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.