مواصفات التكنولوجيا RFD3055
المواصفات الفنية Harris Corporation - RFD3055 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - RFD3055
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I-PAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 12A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 53W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 300 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation RFD3055.
| سمة المنتج | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RFD3055 | RFD16N06LESM9A | RFD3055LE | RFD20N03SM |
| الصانع | Harris Corporation | onsemi | onsemi | Harris Corporation |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| فغس (ماكس) | ±20V | +10V, -8V | ±16V | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23 nC @ 20 V | 62 nC @ 10 V | 11.3 nC @ 10 V | 75 nC @ 20 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 30 V |
| حزمة / كيس | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 300 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 12A, 10V | 47mOhm @ 16A, 5V | 107mOhm @ 8A, 5V | 25mOhm @ 20A, 10V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | I-PAK | TO-252AA | I-PAK | TO-252-3 (DPAK) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 16A (Tc) | 11A (Tc) | 20A (Tc) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 53W (Tc) | 90W (Tc) | 38W (Tc) | 90W (Tc) |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RFD3055L F3055LFairchild (onsemi)RFD16N06LESM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 16A TO252AARFD3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A IPAKRFD20N03SMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFD3055LESM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO252AARFD3055Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A IPAK
RFD3055LE MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD20N03SM9AHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFD3055LHAR
RFD22301RF DigitalRF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANTRFD3055LESM9AHarris CorporationMOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
RFD21731RF DigitalMODULE RF TXRX LONG RANGE 15MMRFD3055LESMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 11A TO252AARFD16N06LESM9AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1RFD16N06SM9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD3055 MOSFairchild (onsemi)RFD3055LESMonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO252AA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.