مواصفات التكنولوجيا L6386D
المواصفات الفنية STMicroelectronics - L6386D والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - L6386D
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| الجهد - توريد | 17V (Max) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 14-SO | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 50ns, 30ns | |
| حزمة / كيس | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 1.5V, 3.6V | |
| نوع المدخلات | Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 400mA, 650mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | L6386 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics L6386D.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | L6386D | L6386ED | L6385ED | L6385ED013TR |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| رقم المنتج الأساسي | L6386 | L6386 | L6385 | L6385 |
| الجهد - توريد | 17V (Max) | 17V (Max) | 17V (Max) | 17V (Max) |
| نوع المدخلات | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| حزمة / كيس | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تجار الأجهزة حزمة | 14-SO | 14-SO | 8-SOIC | 8-SOIC |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| سلسلة | - | - | - | - |
L6386EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6385EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6385ED013STML6385ED013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6387-LF/22STMicroelectronicsL6387L6386D013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6386ADTRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6387ESTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPL6386ED013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6386L6386-PLFSTMicroelectronicsL6387DSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6385D013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6387DTRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6387EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6386ADSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6385ESTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.