مواصفات التكنولوجيا TN2010H-6G-TR
المواصفات الفنية STMicroelectronics - TN2010H-6G-TR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - TN2010H-6G-TR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس) | 1.6 V | |
| الجهد - الدولة معطلة | 600 V | |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس) | 1.3 V | |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK | |
| سلسلة | - | |
| نوع SCR | Sensitive Gate | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس) | 20 A | |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس) | 12.7 A | |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس) | 5 µA | |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات) | 197A, 180A | |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس) | 40 mA | |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس) | 10 mA | |
| رقم المنتج الأساسي | TN2010 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics TN2010H-6G-TR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | TN2010H-6G-TR | TN2015H-6T | TN2015H-6FP | TN20-3C471KT |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | MITSUBISHI |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس) | 1.6 V | 1.6 V | 1.6 V | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK | TO-220 | TO-220FPAB | - |
| نوع SCR | Sensitive Gate | Standard Recovery | Standard Recovery | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | - |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس) | 40 mA | 50 mA | 50 mA | - |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس) | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | - |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس) | 12.7 A | 12.7 A | 12.7 A | - |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس) | 10 mA | 15 mA | 15 mA | - |
| رقم المنتج الأساسي | TN2010 | TN2015 | TN2015 | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | - |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس) | 20 A | 20 A | 20 A | - |
| الجهد - الدولة معطلة | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | - |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات) | 197A, 180A | 180A, 197A | 180A, 197A | - |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس) | 5 µA | 5 µA | 5 µA | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات TN2010H-6G-TR PDF ووثائق STMicroelectronics لـ TN2010H-6G-TR - STMicroelectronics.
TN20-3C471KTMITSUBISHITN20-3H103JTMITSUBISHITN20-3U473JTMITSUBISHI
TN2106K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 280MA TO236ABTN2106K1SUPERTETN20-4C104JTMITSUBISHITN20-3W472JTMITSUBISHI
TN2-L-4.5VPanasonic Electric WorksRELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5VDC
TN2001TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTN2015H-6TSTMicroelectronicsSCR 600V 20A TO220ABTN2022-B2-CLB2FTERANETICSTN2022-B0N/A
TN2010T-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayTN2-L2-12VPanasonic Electric WorksRELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12VDCTN2-5VPanasonic Electric WorksRELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDCTN2104N8-GSUPERTEXTN2101K1-GSUPERTEXTN2015H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A TO220FPAB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.