مواصفات التكنولوجيا TXN612RG
المواصفات الفنية STMicroelectronics - TXN612RG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics - TXN612RG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | STMicroelectronics | |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس) | 1.6 V | |
| الجهد - الدولة معطلة | 600 V | |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس) | 1.5 V | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | |
| سلسلة | - | |
| نوع SCR | Standard Recovery | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس) | 12 A | |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس) | 8 A | |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس) | 10 µA | |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات) | 120A, 125A | |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس) | 30 mA | |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس) | 15 mA | |
| رقم المنتج الأساسي | TXN612 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.30.0080 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ STMicroelectronics TXN612RG.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | TXN612RG | TXN625RG | TYN816RG | 2N689 |
| الصانع | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Solid State Inc. |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات) | 120A, 125A | 300A, 314A | 160A, 167A | 150A @ 60Hz |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس) | 1.5 V | 1.3 V | 1.5 V | 2 V |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس) | 30 mA | 50 mA | 40 mA | 50 mA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | TO-220AB Insulated | TO-220 | TO-48 |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس) | 10 µA | 5 µA | 5 µA | 2 mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس) | 15 mA | 40 mA | 25 mA | 40 mA |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Stud Mount |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Box |
| الجهد - الدولة معطلة | 600 V | 600 V | 800 V | 500 V |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس) | 12 A | 25 A | 16 A | 25 A |
| نوع SCR | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery |
| رقم المنتج الأساسي | TXN612 | TXN625 | TYN816 | - |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس) | 8 A | 16 A | 10 A | 16 A |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس) | 1.6 V | 1.6 V | 1.6 V | 2 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات TXN612RG PDF ووثائق STMicroelectronics لـ TXN612RG - STMicroelectronics.
TXN625RGSTMicroelectronicsSCR 600V 25A TO220ABTYN816RGSTMicroelectronicsSCR 800V 16A TO220AB
TXN132241013AS1Intel2N689Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR
S6012RTPLittelfuse Inc.SCR 600V 12A TO220ABTXN21125D000002IntelTXN181172013X67IntelIGBT Module
C122F1GLittelfuse Inc.SCR 50V 8A TO220ABTXN133014015A01Intel
MCR100-8GMotorolaSCR, TO-92, 600V, 0.8A, SENS GAT
10TTS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 800V 10A TO220AB
MCR218-6GonsemiSILICON CONTROLLED RECTIFIER, 8ATXN31115D200001Intel
TCR22-6Littelfuse Inc.SCR 400V 1.5A TO922N6509onsemiTHYRISTOR SCR 25A 800V TO220AB
MCR12DSN-1GLittelfuse Inc.SCR 800V 12A IPAKC228DSolid State Inc.35 AMP SCR T0-48
VS-80RIA120PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 1.2KV 125A TO209AC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.