مواصفات التكنولوجيا 1N5407
المواصفات الفنية SMC Diode Solutions - 1N5407 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ SMC Diode Solutions - 1N5407
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201AD | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-201AD, Axial |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Box (TB) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 30pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N540 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ SMC Diode Solutions 1N5407.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5407 | 1N5406RLG | 1N5407-E3/73 | 1N5408 |
| الصانع | SMC Diode Solutions | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diotec Semiconductor |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 600 V | 800 V | 1000 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N540 | 1N5406 | 1N5407 | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| حزمة / كيس | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 30pF @ 0V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201AD | Axial | DO-201AD | DO15/DO204AC |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5407 PDF ووثائق SMC Diode Solutions لـ 1N5407 - SMC Diode Solutions.
1N5406RLGonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5407-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5408Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 1000V 3A1N5407-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407onsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5407Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5406GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5406GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5408onsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5407-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 800V 3A1N5406GYangjie TechnologyDO-201AD 600V 3A Diodes Rectif1N5406_AY_10001PANJIT1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5407NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5406G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5408Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.