مواصفات التكنولوجيا 1N1201B
المواصفات الفنية Solid State Inc. - 1N1201B والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. - 1N1201B
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Solid State Inc. | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Box | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 150 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. 1N1201B.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1201B | 1N1201AR | 1N1202A | 1N1201RA |
| الصانع | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 150 V |
| طَرد | Box | Bulk | Bulk | Box |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | 150 V | 200 V | 150 V |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 12A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1201B PDF ووثائق Solid State Inc. لـ 1N1201B - Solid State Inc..
1N1201ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1202AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1201RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1200RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1202Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N1200RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1201RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO41N1201Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1201BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 12A DO203AA1N1202Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.