مواصفات التكنولوجيا 1N4448
المواصفات الفنية Taiwan Semiconductor Corporation - 1N4448 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N4448
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Taiwan Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 100 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-35 | |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 75 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4448 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4448 | 1N4448 | 1N4446TR | 1N4446 |
| الصانع | Taiwan Semiconductor Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4448 | - | 1N4446 | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 20 mA |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| حزمة / كيس | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 25 nA @ 20 V | 25 nA @ 20 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150mA | 200mA | 200mA | 200mA |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4448 PDF ووثائق Taiwan Semiconductor Corporation لـ 1N4448 - Taiwan Semiconductor Corporation.
1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
1N4448HLP-7-FDiodes Incorporated1N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HLP-7##QQQQQQQQ1N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448HLP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HLP-7B-55Diodes Incorporated1N4448HLP-7-55Diodes Incorporated
1N4448-TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4448 T5CJ1N4448HW-7-FMSV1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448HLP-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.