مواصفات التكنولوجيا HERAF806G
المواصفات الفنية Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF806G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF806G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Taiwan Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | ITO-220AC | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 80 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 60pF @ 4V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation HERAF806G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HERAF806G | HERA803G | HERAF1008G | HERAF808G |
| الصانع | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 8A | 10A | 8A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 8 A |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | ITO-220AC | TO-220AC | ITO-220AC | ITO-220AC |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 200 V | 1000 V | 1000 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 60pF @ 4V, 1MHz | 65pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 80 ns | 50 ns | 80 ns | 80 ns |
HERF1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 10A ITO-220ABHERA803GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACHERAF1601GTaiwan SemiconductorHERAF1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220ACHERAF808GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220ACHERF1005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 400V ITO-220ABHERAF1608GTaiwan SemiconductorHERA808GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 8A TO220ACHERCULES-ACAVOCENTHERAF1605GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 16A ITO220ACHERF1006G COTaiwan SemiconductorHERF1607GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 800V ITO-220ABHERAF803GTaiwan Semiconductor
HERCROM200GIIntersil (Renesas Electronics Corporation)HERAF1005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 10A ITO220ACHERAF1006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220ACHERAF804GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC
HERCROM200 CTexas Instruments| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.