مواصفات التكنولوجيا 183NQ100
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 183NQ100 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 183NQ100
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 180 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | D-67 HALF-PAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | D-67 HALF-PAK | |
| طَرد | Bulk | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 4.5 mA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 180A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 4150pF @ 5V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 183NQ100 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 183NQ100.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 183NQ100 | 183NQ100R | 2A05-T | BYS10-35HE3/TR |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 4.5 mA @ 100 V | 4.5 mA @ 100 V | 5 µA @ 600 V | 500 µA @ 35 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Standard | Schottky |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 4150pF @ 5V, 1MHz | 4150pF @ 5V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - |
| تجار الأجهزة حزمة | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | DO-15 | DO-214AC (SMA) |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 180 A | 950 mV @ 180 A | 1.1 V @ 2 A | 500 mV @ 1 A |
| حزمة / كيس | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-214AC, SMA |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 180A | 180A | 2A | 1.5A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 600 V | 35 V |
| رقم المنتج الأساسي | 183NQ100 | 183NQ100 | 2A05 | BYS10 |
قم بتنزيل أوراق بيانات 183NQ100 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ 183NQ100 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
1830596Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 2POS VERT 3.81MM183NQ100PBFIRIGBT Module183NQ100RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 180A D-672A05-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 2A DO15BYS10-35HE3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC18380183NQ080RIRIGBT Module1837516781NA183NQ090IRIGBT Module183NQ80RIRIGBT Module183NQ030IRIGBT Module183NQ80IRIGBT Module183156-1.85GHZSEIP (Sumitomo Electric Interconnect Products)
1838274-2TE Connectivity AMP ConnectorsCONN RCPT FMALE 4POS SOLDER CUP
1830606Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 3POS VERT 3.81MM183NQ080Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 80V 180A D-67183NQ090RIRIGBT Module
1830703Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 13POS VERT 3.81MM| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.