مواصفات التكنولوجيا 1N3288R
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N3288R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N3288R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 100 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-205AA (DO-8) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 24 mA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 100A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3288 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3288R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3288R | 1N3288A | 1N3275 | 1N3288R |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Powerex Inc. | Powerex Inc. | Microchip Technology |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 100 A | 1.5 V @ 100 A | - | 1.2 V @ 200 A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 100A | 100A | 160A | 100A |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AA (DO-8) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 24 mA @ 100 V | 24 mA @ 100 V | 12 mA @ 1400 V | 50 µA @ 100 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3288 | 1N3288 | 1N3275 | 1N3288 |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 1400 V | 100 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3288R PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ 1N3288R - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
1N3288APowerex Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA1N3275Powerex Inc.DIODE GP 1.4KV 160A DO205AB DO91N3288RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3289Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N3288RBMSCIGBT Module1N3288Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO81N3288AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3276Powerex Inc.DIODE GP 1.6KV 160A DO205AB DO91N3289APowerex Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N3288ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3288RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO81N3288ARPowerex Inc.DIODE GP REV 100V 100A DO205AA1N3288RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO81N3288ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO81N3289Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3288Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3288SMSCIGBT Module1N3289AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.